Узкое место памяти стало серьезной проблемой в современных системах на кристалле, и, следовательно, размер встроенной памяти на кристалле продолжает расти, уже достигнув 75% от общего объема SoC.
SoC (System on Chip) — это метод, при котором компьютерная система, состоящая из нескольких устройств с разными функциями, превращается в один чип. google
Однако стандартная в отрасли технология SRAM очень неэффективна по площади и сталкивается с серьезными трудностями масштабирования в современных технологических процессах (более 10 нм).
Статическая память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Материал из Википедии
Технология памяти с произвольным доступом Gain-Cell (GCRAM) от RAAAM — это уникальное решение для памяти на кристалле, которому требуется всего 2–3 транзистора для хранения бита данных, в отличие от 6–8 транзисторов, необходимых для существующей технологии памяти на основе SRAM с самой высокой плотностью.
Решение эффективно с точки зрения площади, затрат и может быть изготовлено с использованием стандартного процесса CMOS.
КМОП (комплементарная структура металл — оксид — полупроводник; англ. CMOS, complementary metal–oxide–semiconductor) — набор полупроводниковых технологий построения интегральных микросхем и соответствующая ей схемотехника микросхем. Материал из Википедии
Успешно протестировав технологию в различных узлах в диапазоне от 180 нм до 16 нм, RAAAM в настоящее время стремится разработать, изготовить и охарактеризовать предлагаемую технологию памяти для узлов ≤5 нм и полностью квалифицировать ее для производства в соответствии с отраслевыми стандартами.